成熟制程的黄金时代悄然来临？从台积电扩产28nm看中芯国际的技术路径

全球半导体产业传来一则引人注目的消息：台积电宣布将在中国南京厂扩产28nm产能。几乎中国大陆的龙头芯片制造企业中芯国际也在28nm及以上的成熟制程领域持续布局。这一动向，恰好印证了中国工程院院士、计算机专家倪光南此前的判断——在追求先进制程的成熟制程同样具有巨大的战略价值和市场空间。

长期以来，半导体行业的聚光灯大多打在7nm、5nm乃至3nm的最先进工艺上。随着汽车电子、物联网、工业控制、显示驱动等领域的爆发式增长，28nm这一被称为“黄金节点”的成熟制程，反而出现了全球性的产能紧缺。台积电此番扩产，正是对这一市场需求的直接回应。28nm工艺不仅在成本、良率和稳定性之间取得了绝佳平衡，而且能够覆盖从电源管理、射频芯片到MCU、图像传感器等广泛的应用场景。

台积电的扩产行为，一度让部分观察者感到意外。毕竟，这家企业此前更专注于向更先进的节点冲刺。但事实上，在全球芯片短缺的大背景下，成熟制程的利润率和战略重要性正在被重估。而对于中芯国际而言，布局28nm及以上成熟制程，既是现实的市场选择，也具有深远的技术意义。

中芯国际的技术路径近年来明显呈现出“两条腿走路”的特征。一方面，它在先进制程上努力追赶，例如其14nm FinFET工艺早已实现量产，N+1、N+2等更先进节点也在风险试产中。另一方面，中芯国际持续拓展和优化成熟制程平台，28nm PolySiON和28nm HKMG工艺均已成熟，并衍生出低功耗、高压驱动、嵌入式闪存等特色工艺。这些技术不仅服务于国内庞大的芯片设计公司，也为汽车、工业等对可靠性要求极高的领域提供了关键支撑。

值得注意的是，中芯国际在成熟制程上的技术积累并非简单复制。以28nm HKMG为例，这一技术采用了高介电常数金属栅极，能显著降低漏电，提升能效。在这个节点上，中芯国际还开发了多种衍生的特殊工艺，比如用于图像传感器的28nm BSI（背照式）工艺，以及用于嵌入式存储的28nm eFlash。这些非标准化的“特色工艺”往往无法直接从国际大厂获得，必须依靠自身长期的研发和积累。

这恰好呼应了中国院士们的观点。以倪光南院士为代表的一批专家曾多次强调：芯片产业不能一味追求“最先进”，中国应该在成熟制程上形成自主可控的完整产业链，再逐步向先进制程攀登。这不仅是因为成熟制程市场需求巨大，更因为这些环节地技术门槛相对可控，能够有效带动国产设备、材料、EDA工具的协同发展。事实正在证明，台积电的扩产和中芯国际的坚持，其实是在两条不同路径(分别服务海外客户和内需市场）上指向了同一个共识：28nm这类成熟制程有着持久的生命力。

中芯国际的技术能力也体现在其产能扩张的节奏上。该公司在上海、北京、天津、深圳等地拥有多座晶圆厂，并持续新建28nm及以上产线。2021年中芯国际与深圳市政府签署合作框架协议，拟建28nm及以上集成电路项目；2022年又在北京启动新项目。这些产能的释放，将有效缓解国内在显示驱动、电源管理、射频芯片等方面的供应紧张。

中芯国际在前进道路上也面临挑战。先进光刻机等关键设备的获取不易，使得其在向7nm及以下节点突破时困难加大。但换个角度看，这反而促使中芯国际更扎实地深耕28nm等成熟节点，并在性能、可靠性、特色工艺上做到极致。28nm并不是一个“落后”的工艺，而是经过十余年优化的“常青树”，其广泛应用于众多国产芯片之中，也是中国半导体自主化的重要基石。

院士的预言正在成真：面向芯片产业不需要都去挤5纳米、3纳米的独木桥，开辟28纳米及更成熟的广阔发展道路，坚持自主创新与开放合作相结合，才是实现产业稳健发展的关键。台积电的扩产印证了成熟制程旺盛需求的客观事实，中也国际在这条产能路线上的深耕和科技创新，则是中国芯片产业夯实地基、务实前进的现实写照。在“成熟制程不如先进制程”的一种观念误区面前，时利用好28nm节点的独特优势与庞大产能需求，体现了中国半导体产业所抱持的一种理性与技术积累。